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復(fù)合材料交流擊穿強(qiáng)度、擊穿電壓測(cè)試及介電強(qiáng)度計(jì)算公式

更新時(shí)間:2023-09-24      點(diǎn)擊次數(shù):1819

復(fù)合材料交流擊穿強(qiáng)度

 

從實(shí)際應(yīng)用的角度上考慮,電介質(zhì)的擊穿強(qiáng)度是一個(gè)非常重要的參數(shù),特別是在高頻高壓場(chǎng)合下,絕緣材料必須具有一定的介電強(qiáng)度。

絕緣材料的擊穿強(qiáng)度遵循Weibull分布。介電強(qiáng)度Weibull分布可寫(xiě)為

 

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式中P是電失效的累積概率,E是每次實(shí)驗(yàn)時(shí)的測(cè)試擊穿強(qiáng)度β是形狀因子,表示擊穿強(qiáng)度的分散情況,E0是尺度參數(shù),表示失效概率為63,2%時(shí)的擊穿強(qiáng)度,這個(gè)參數(shù)通常被用來(lái)比較不同樣品的介電強(qiáng)度。

 

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P根據(jù)下述公式進(jìn)行計(jì)算

 

image.png 

E值以升序排列,i代表E值的位次,n表示每個(gè)樣品總的測(cè)試數(shù)目。

1給出了納米復(fù)合材料的介電強(qiáng)度Weibull分布。根據(jù)圖2,14可以看出,復(fù)合材料的介電強(qiáng)度與納米顆粒的濃度有很大的關(guān)系。根據(jù)圖2,14,在低顆粒濃度的情況下,納米復(fù)合材料的介電強(qiáng)度有很大的降低。當(dāng)顆粒的濃度超過(guò)12%并逐漸增加到32%,復(fù)合材料的介電強(qiáng)度不再發(fā)生很大的變化,只是隨著納米顆粒的增加而慢慢降低,這說(shuō)明聚乙烯納米鋁復(fù)合材料在較高的金屬含量時(shí)仍具有較高的介電強(qiáng)度,因此從應(yīng)用的角度上具有潛在的價(jià)值。低濃度下的介電強(qiáng)度快速降低以及高濃度下介電強(qiáng)度的變化較小,說(shuō)明在這些納米復(fù)合材料中可能存在兩種不同的擊穿機(jī)理。

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1

 

當(dāng)顆粒含量較低時(shí),顆粒之間沒(méi)有形成團(tuán)簇,而是孤立的存在于聚合物基體中,這樣,每個(gè)粒子周?chē)碾妶?chǎng)會(huì)發(fā)生很強(qiáng)的放大,納米顆粒與聚合物基體之間可能會(huì)發(fā)生局部的擊穿。在這種情況下,由于納米顆粒的尺寸很小,盡管施加在樣品上的電場(chǎng)強(qiáng)度不是很高,但納米鋁顆粒周?chē)植侩妶?chǎng)的增強(qiáng)足以超過(guò)聚乙烯的本征擊穿強(qiáng)度,從而造成納米鋁顆粒的濃度越低,復(fù)合材料的介電強(qiáng)度降低越快。根據(jù)我們的觀察,納米鋁含量為1%時(shí),復(fù)合材料的失效概率為63,2%的擊穿強(qiáng)度由純聚乙烯的135,1kV/mm降低到103,4kV/mm。

 

聚合物納米復(fù)合材料的介電強(qiáng)度的降低速率與納米顆粒本身的性質(zhì)及尺寸有關(guān),金屬顆粒的影響要遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于電介質(zhì)顆粒的影響。

隨著納米顆粒的含量進(jìn)一步增加,顆粒的團(tuán)聚趨勢(shì)越來(lái)越明顯,團(tuán)簇的尺寸也越來(lái)越大,這樣會(huì)造成電場(chǎng)的增強(qiáng)速率逐漸減弱,因而材料的介電強(qiáng)度降低的速率也越來(lái)越弱。當(dāng)聚合物中的顆粒含量超過(guò)一定值后,顆粒團(tuán)簇的尺寸變的很大以至于彼此互相靠近,樣品上下表面就會(huì)形成橋聯(lián)結(jié)構(gòu)。根據(jù)上面的討論,納米鋁氧化殼層的電阻率要低于聚乙烯的電阻率,橋聯(lián)結(jié)構(gòu)會(huì)造成放電。一旦上下表面中間有一條橋聯(lián)結(jié)構(gòu)發(fā)生放電,施加到復(fù)合材料其它地方的電應(yīng)力就會(huì)降低。這是復(fù)合材料在較高納米顆粒含量下仍具有較高的介電強(qiáng)度的原因之一。

 

假設(shè)不同納米團(tuán)簇的體積比較接近且電極形狀是相同的,那么當(dāng)納米顆粒的含量超過(guò)12%時(shí),流經(jīng)各個(gè)橋聯(lián)通路的短路電流"就沒(méi)有什么不同。盡管兩電極之間有放電現(xiàn)象發(fā)生,由于納米鋁顆粒本身的自鈍化性質(zhì),復(fù)合材料在高的顆粒含量時(shí)仍保持的較好的絕緣性能。以上是復(fù)合材料在較高納米顆粒含量下仍具有較高的介電強(qiáng)度的另一個(gè)原因,也是復(fù)合材料在較高納米顆粒含量下具有相似擊穿強(qiáng)度的原因。

根據(jù)介電強(qiáng)度的觀點(diǎn),12%也可以看作是逾滲閾值。這是因?yàn)?,從材料?/span>介電強(qiáng)度的角度上講,復(fù)合材料的微觀結(jié)構(gòu)在這個(gè)濃度發(fā)生了一個(gè)轉(zhuǎn)變??梢钥闯?,這個(gè)值明顯低于直流電導(dǎo)測(cè)量所反映出的逾滲閾值(223%),這是測(cè)試電場(chǎng)強(qiáng)度的不同造成的。在介電強(qiáng)度的測(cè)試中,樣品所加的電場(chǎng)強(qiáng)度要高出測(cè)量直流電導(dǎo)時(shí)所施加場(chǎng)強(qiáng)1-2個(gè)數(shù)量級(jí)。


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