如前所述,介質(zhì)損耗角正切tanδ是在交流電壓作用下,電介質(zhì)中電流的有功分量與無功分量的比值,它是一個無量綱的數(shù)。在一定的電壓和頻率下,它反映電介質(zhì)內(nèi)單位體積中能量損耗的大小,它與電介質(zhì)的體積尺寸大小無關(guān)。因此,能從測得的tanδ 數(shù)值直接了解絕緣情況。
介質(zhì)損耗角正切tanδ的測量是判斷絕緣狀況的一種比較靈敏和有效的方法,從而在電氣設(shè)備制造、絕緣材料的鑒定以及電氣設(shè)備的絕緣試驗等方面得到了廣泛的應(yīng)用,特別對受潮、老化等分布性缺陷比較有效,對小體積設(shè)備比較靈敏,因而tanδ的測量是絕緣試驗中一個較為重要的項目。
如果絕緣內(nèi)的缺陷不是分布性而是集中性的,則用測tanδ值來反映絕緣的狀況就不很靈敏,被試絕緣的體積越大,越不靈敏,因為此時測得的tanδ反映的是整體絕緣的損耗情況,而帶有集中性缺陷的絕緣是不均勻的,可以看成是由兩部分介質(zhì)并聯(lián)組成的絕緣,其整體的介質(zhì)損耗為這兩部分損耗之和,即
或
得
且
若整體絕緣中體積為V2的一小部分絕緣有缺陷,而大部分良好的絕緣的體積為V1,即V2?V1,則得C2?C1,C≈C1),于是
(3-3)
由于式(3-3)中的系數(shù)很小,所以當(dāng)?shù)诙糠值?/span>絕緣出現(xiàn)缺陷,tanδ增大時,并不能使總的tanδ值明顯增大。只有當(dāng)絕緣有缺陷部分所占的體積較大時,在整體的tanδ中才會有明顯的反映。例如在一臺110kV大型變壓器上測得總的tanδ為0.4%,是合格的,但把變壓器套管分開單獨測得tanδ達3.4%就不合格。所以當(dāng)變壓器等大設(shè)備的絕緣由幾部分組成時,最好能分別測量各部分的tanδ,以便于發(fā)現(xiàn)絕緣的缺陷。
電機、電纜等設(shè)備,運行中的故障多為集中性缺陷發(fā)展造成的,用測tanδ的方法不易發(fā)現(xiàn)絕緣的缺陷,故對運行中的電機、電纜等設(shè)備進行預(yù)防性試驗時,不測tanδ。而對套管絕緣,因其體積小,故tanδ測量是一項不可少且較為有效的試驗。當(dāng)固體絕緣中含有氣隙時,隨著電壓的升高,氣隙中將產(chǎn)生局部放電,使tanδ急劇增大,因此在不同電壓下測量tanδ,不僅可判斷絕緣內(nèi)部是否存在氣隙,而且還可以測出局部放電的起始電壓U0,顯然U0的值不應(yīng)低于電氣設(shè)備的工作電壓。
在用tanδ 值判斷絕緣狀況時,除應(yīng)與有關(guān)標準規(guī)定值進行比較外,同樣必須與該設(shè)備歷年的tanδ值相比較以及與處于同樣運行條件下的同類型其他設(shè)備相比較。即使tanδ值未超過標準,但與過去比較或與同樣運行條件下的同類型其他設(shè)備比,tanδ值有明顯增大時,必須要進行處理,以免在運行中發(fā)生事故。
一、QS1型電橋原理
在絕緣預(yù)防性試驗中,常用來測量設(shè)備絕緣的tanδ值和電容C值和方法是采用QS1電橋(平衡電橋),其原理接線圖如圖3-4所示。它有四個橋臂組成,臂1為被試品Zx,圖中用CX及RX的并聯(lián)等值電路來表示;臂2為標準無損電容器CN,一般為50pF,它是用空氣或其他壓縮氣體作為介質(zhì)(常用氮氣),其tanδ值很小,可認為零;臂3、4為裝在電橋本體內(nèi)的操作調(diào)節(jié)部分,包括可調(diào)電阻R3、可調(diào)電容C4及與其并聯(lián)的固定電阻R4。外加交流高壓電源(電壓一般為10kV),接到電橋的對角線CD上,在另一對角線AB上則接上平衡指示儀表G,G一般為振動式檢流計。
進行測量時,調(diào)節(jié)R3、C4,使電橋平衡,即使檢流計中的電流為零,或UAB為零,這時有
將上述阻抗值代入式(3-4),并使等式左右的實數(shù)部分和虛數(shù)部分分別相等,即可求得
(3-5)
因tanδ很小,tan2δ?1,故得
(3-6)
由于我國使用的電源頻率為50HZ,故ω=2Πf=100Π,為了便于讀數(shù),在電橋制造時常取R4=104/Π=3184Ω,因此
(3-7)
這樣,當(dāng)調(diào)節(jié)電橋平衡時,在分度盤上C4的數(shù)值就直接以tanδ(%)來表示,讀取數(shù)值極為方便。
為了避免外界電場與電橋各部分之間產(chǎn)生的雜散電容對電橋產(chǎn)生干擾,電橋本體必須加以屏蔽,如圖3-4中的虛線所示。由被試品和標準無損電容器連到電橋本體的引線也要使用屏蔽導(dǎo)線。在沒有屏蔽時,出高壓引線到A、B兩點間的雜散電容分別與CX與CN并聯(lián)(見圖3-4),將會影響電橋平衡。加上屏蔽后,上述雜散電容變?yōu)楦邏簩Φ氐碾娙?,與整個電橋并聯(lián),就不影響電橋的平衡了。但加上屏蔽后,屏蔽與低壓臂3、4間也有雜散電容存在,如果要進一步提高測量的標準度,必須消除它們的影響,但在一般情況下,由于低壓臂的阻抗及電壓降都很小,這些雜散電容的影響可以忽略不計。
二、接線方式
用國產(chǎn)QS1型電橋測量tanδ時,常有兩種接線方式。
1.正接線
圖3-4所示接線方式中,電橋的C點接到電源的高壓端,D點接地,這種接線稱為正接線。此種接線由于橋臂1及2的阻抗ZX和ZN的數(shù)值比Z3和Z4大得多,外加高電壓大部分降落在橋臂1及2上,在調(diào)節(jié)部分R3及C4上的電壓降通常只有幾伏,對操作人員沒有危險。為了防止被試品或標準電容器一旦發(fā)生擊穿時在低壓臂上出現(xiàn)高電壓,在電橋的A、B點上和接地的屏蔽間接有放電管F,以保證人身和設(shè)備的安全。正接線測量的準確度較高,試驗時較安全,對操作人員無危險,但要求被試品不接地,兩端部對地絕緣,故此種接線適用于試驗室中,不適用于現(xiàn)場試驗。
2.反接線
現(xiàn)場電氣設(shè)備的外殼大都是接地的,當(dāng)測量一極接地的試品的tanδ時,可采用如圖3-5所示的反接線方式,即把電橋的D點接到電源的高壓端,而將C點接地,在這種接線中,被試品處于接地端,調(diào)節(jié)元件R3、C4處于高壓端,因此電橋本體(圖3-4虛線框內(nèi))的全部元件對機殼必須具有高絕緣強度,調(diào)節(jié)手柄的絕緣強度更應(yīng)能保證人身安全,國產(chǎn)便于攜帶式QS1型電橋的接線即屬這種方式。
三、干擾的產(chǎn)生與消除
在現(xiàn)場測量tanδ時,特別是在110kV及以上的變電所進行測量時,被試品和橋體往往處在周圍帶電部分的電場作用范圍之內(nèi),雖然電橋本體及連接線都采用了前面所述的屏蔽,但對被試品通常無法做到全部屏蔽,如圖3-6所示。這時等值干擾電源電壓U?就會通過與被試品高壓電極間的雜散電容C?產(chǎn)生干擾電流I?,因而影響測量的準確。
當(dāng)電橋平衡時,流過檢流計的電流IG=0,此時檢流計支路可看作開路,干擾電流I?在通過C?以后分成兩路,一路經(jīng)CX入地,另一路經(jīng)R3及試驗變壓器的漏抗入地,由于前者的阻抗遠大于后者,故可以認為I?實際上全部流過R3。在現(xiàn)場進行測量時,不但受到電場的下擾,還可能受到磁場的干擾。一般情況下,磁場的干擾較小,而且電橋本體都有磁屏蔽,CX及CN的引線雖較長,但其阻抗較大,感應(yīng)弱時,不能引起大的干擾電流。但當(dāng)電橋靠近電抗器等漏磁通較大的設(shè)備時,磁場的干擾較為顯著。通常,這一干擾主要是由于磁場作用下電橋檢流計內(nèi)的電流線圈回路所引起的。可以把檢流計的極性轉(zhuǎn)換開關(guān)放在斷開位置,此時如果光帶變寬,即說明有此種干擾。為了消除干擾的影響,可設(shè)法將電橋移到磁場干擾范圍以外。若不能做到,則可以改變檢流計極性開關(guān)進行兩次測量,用兩次測量的平均值作為測量結(jié)果,以減小磁場干擾的影響。
四、測量 tanδ時的注意事項
(1)無論采用何種接線方式,電橋本體必須良好接地。
(2)反接線時,三根引線均處于高壓,必須懸空,與周圍接地體應(yīng)保持足夠的絕緣距離。此時,標準電容器外殼帶高電壓,也不應(yīng)有接地的物體與外殼相碰。
(3)為防止檢流計損壞,應(yīng)在檢流計靈敏度低時接通或斷開電源。
(4)在體積較大的設(shè)備中存在局部缺陷時,測量總體的tanδ 不易反映;而對體積較小的設(shè)備就比較容易發(fā)現(xiàn)絕緣缺陷,為此,對能分開測量的試品應(yīng)盡量分開測量。
(5)一般絕緣的tanδ均隨溫度的上升而增大。各種試品在不同溫度下的tanδ值也不可能通過通用的換算式獲得準確的換算結(jié)果。故應(yīng)爭取在差不多的溫度下測量tanδ值,并以此作相互比較。通常都以20℃時的值作為標準(絕緣油例外)。為此,一般要求在10~30℃的范圍內(nèi)進行測量。
(6)試驗時被試品的表面應(yīng)當(dāng)干燥、清潔,以消除表面泄漏電流的影響。
(7)在進行變壓器、電壓互感器等繞組的tanδ值和電容值的測量時,應(yīng)將被試設(shè)備所有繞組的首尾短接起來,否則會產(chǎn)生很大的誤差。
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