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簡要描述：耐漏電起痕試驗(yàn)機(jī)引起材料破壞所必需的液滴數(shù)隨著施加電壓的減小而增加，且在低于某一限值時，不發(fā)生電痕化。當(dāng)材料在Z高試驗(yàn)電壓下也未電痕時，可以有不同程度的腐蝕，且腐蝕深度能測出。某些材料能在試驗(yàn)時燃燒。
產(chǎn)品型號：LDQ-2廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家更新時間：2024-08-20訪 問 量：1793產(chǎn)品分類
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| 品牌 | AIRTIMES/中航時代 |
|---|
LDQ-2耐漏電起痕試驗(yàn)機(jī)
一、設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)：GB/T4207-2003固體絕緣材料在潮濕條件下相比電痕化指數(shù)和耐電痕化指數(shù)的測定方法
二、適用標(biāo)準(zhǔn)：IEC60695
三、主要技術(shù)參數(shù)
序號 | 項(xiàng)目 | 參數(shù) |
1 | 電極材料 | 鉑金，銅（鉑金純度99%） |
2 | 電極尺寸 | 2*5*40mm±0.1mm |
3 | 鉑電極 12mm | 30°±2°斜面 |
4 | 電極距離 | 4.0mm ± 0.01mm |
5 | 夾角 | 60°±5° |
6 | 電極壓力 | 1.00N±0.01N |
7 | 試液電阻 | A液0.1%NH4Cl，3.95±0.05Ωm |
8 | 試液電阻 | B液1.98±0.05Ωm |
9 | 滴液裝置 | 試驗(yàn)時不需要調(diào)整，操作簡單 |
10 | 液滴高度 | 35mm ± 5mm（可調(diào)） |
11 | 液滴時間 | 30s±0.01s(優(yōu)于標(biāo)準(zhǔn)) |
12 | 液滴時間 | 50滴時間24.5min±2min |
13 | 液滴滴數(shù) | 1 ～ 9999( 數(shù)顯，可預(yù)置 ) |
14 | 試驗(yàn)風(fēng)速 | 0.2m /s( 新標(biāo)準(zhǔn) ) |
15 | 試驗(yàn)電壓 | 100V～600V(25V分度，可調(diào)節(jié)) |
16 | 電源壓降 | 1.0A ± 0.1A 時 8% |
17 | 起痕判斷 | 0.50A ±10% ， 2.00s±10% |
18 | 排氣孔 | Ø100mm |
19 | 空氣環(huán)境 | 溫度0~40℃ |
20 | 相對濕度 | ≤80% |
21 | 試驗(yàn)電源 | 220V 0.6kVA 50-60Hz |
22 | 外型尺寸 | 寬1160mm×深600mm×高1295mm |
23 | 燃燒試驗(yàn)區(qū)容積 | 0.5m3,900mm×560mm×1010mm |
24 | 背景黑色 | 背景照度≤20Lux |
四、使用范圍
耐漏電起痕試驗(yàn)機(jī)施加電壓在100～600V（48～60Hz）之間可調(diào)，短路電流在1.0±0.0001A(優(yōu)于標(biāo)準(zhǔn)0.1A)時電壓下降不超過10%；當(dāng)試驗(yàn)回路中，短路電流大于0.5A時間維持2秒鐘繼電器動作，切斷電流，指示試品不合格
該測量在電壓zui高達(dá)600V時固體電氣絕緣材料在電場作用下表面暴露于含雜質(zhì)的水時的相對耐電痕化性能。當(dāng)將電壓施加到放在材料表面上規(guī)定 的電極裝置之間，且電解液以規(guī)定的時間間隔滴到兩電極之間時，在此試驗(yàn)情況下可能產(chǎn)生電痕化。引起材料破壞所必需的液滴數(shù)隨著施加電壓的減小而增加，且在低于某一限值時，不發(fā)生電痕化。當(dāng)材料在zui高試驗(yàn)電壓下也未電痕時，可以有不同程度的腐蝕，且腐蝕深度能測出。某些材料能在試驗(yàn)時燃燒。
五、隨貨清單
序號 | 配置 | 數(shù)量 | 單位 |
1 | 說明書 | 壹 | 份 |
2 | 燃燒箱 | 壹 | 臺 |
3 | 排煙管 | 壹 | 份 |
4 | 合格證 | 壹 | 份 |
5 | 不銹鋼塊規(guī) | 壹 | 個 |
6 | 玻璃方塊 | 壹 | 塊 |
7 | 試驗(yàn)針頭 | 壹 | 個 |
8 | 保險絲 | 壹 | 個 |
9 | 電源線 | 壹 | 根 |
六、功能特點(diǎn)
是按IEC60695、GB4207/IEC60112等標(biāo)準(zhǔn)要求設(shè)計(jì)制造的檢測儀器。適用于固體絕緣材料在潮濕條件下相比漏電起痕指數(shù)和耐漏電起痕指數(shù)的測定，具有簡便、準(zhǔn)確、可靠、實(shí)用等特點(diǎn)。
產(chǎn)品咨詢
聯(lián)系人：石磊
地址：北京市房山區(qū)經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)1號
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